Rasterelektronenmikroskop mit Tieftemperaturstage zur Bestimmung von Materialkenngrößen von Supraleitern und anderen Materialien has been closed on 31 May 2019. It no longer accepts any bids. For further information, you can contact the
Bellow, you can find more information about this project:
elektronisch via:
https://www.evergabe-online.de/tenderdetails.html?id=245908an die oben genannten Kontaktstellen.
Im Rahmen der elektronischen Kommunikation ist die Verwendung von Instrumenten und Vorrichtungen erforderlich, die nicht allgemein verfügbar sind. Ein uneingeschränkter und vollständiger direkter Zugang zu diesen Instrumenten und Vorrichtungen ist gebührenfrei möglich unter :
https://www.evergabe-online.de/start.html;jsessionid=BF449CCA7F8474007861F7B2846EBCEC.app202?0Einrichtung des öffentlichen Rechts
Bildung
Rasterelektronenmikroskop mit Tieftemperaturstage zur Bestimmung von Materialkenngrößen von Supraleitern und anderen Materialien
TU-045/19-201-ZMN
Rasterelektronenmikroskope (38511100)
Für wissenschaftliche Zwecke (FG11)
Lieferauftrag
Lieferung und Inbetriebnahme eines Rasterelektronenmikroskops mit Tieftemperatur-Stage zur Bestimmung von Materialkenngrößen von Supraleitern, Josephson-Kontakten, memristiven Werkstoffen und weiteren Werkstoffen
665.000,00
EUR Euro
Instrumente zum Messen elektrischer Größen (38341300)
Elektromagnetische Anlage (33158100)
Ilm-Kreis (DEG0F)
TU Ilmenau
Die Technische Universität Ilmenau beabsichtigt, die technologische Ausstattung im Bereich der Forschung zur Mikro- und Nanotechnologie zu erweitern. Hierzu ist vorgesehen, ein Rasterelektronenmikroskop zu beschaffen, dass Materialuntersuchungen in einem Temperaturbereich von 6 K bis zu mindestens Raumtemperatur ermöglicht. Es sollen physikalische Fragestellungen ortsaufgelöst beantwortet werden. Dabei spielen sowohl die Untersuchung und Charakterisierung von einzelnen Josephson-Kontakten, von Arrays aus Josephson-Kontakten und supraleitenden Mikrowellenschaltungen, von supraleitender Tunnelübergangsdetektoren, des Tiefentladungsdurchschlags von Halbleitern, von supraleitenden Tunnelübergänge, Variationen der Bandlücke und der Josephson-Stromdichte, der Anisotropie der Phononenausbreitung in Einkristallen als auch das Defektmapping in Einkristallen, das Mapping von in Supraleitern eingefrorenen Flussschläuchen, die Verteilung der kritischen Stromdichte und kritischen Temperatur in Supraleitern bzw. supraleitenden Schichten eine Rolle. Untersuchungsgegenstand sind u.a. dünne Filme aus Metallen, Metall-Oxiden und Nitriden für Anwendungen als Tunnelbarrieren oder Elektroden in memristiven und kryoelektronischen Bauelementen. Dafür sind sowohl in-situ elektrische Messungen als auch die Applikation von elektromagnetischen Feldern angedacht.
Laufzeit in Monaten:24
3
5
Zur Teilnahme berechtigt sind die maximal fünf Bewerber, die alle fünf Mindestanforderungen erfüllen haben und die fünf höchsten gewichteten und summierten Wertungen erhalten haben:
(W1) wirtschaftliche Gesamtsituation des Bieters - Absteigende Bewertung der fünf umsatzstärksten Bewerber (5-1 Pkt.) 10 %,
(W2) Umsatz von Systemen zur Rasterelektronenmikroskopie in Forschungseinrichtungen in den letzten 3 Jahren - Absteigende Bewertung der fünf umsatzstärksten Bewerber (5-1 Pkt.) 25 %,
(W3) Mitarbeiter und deren Qualifikationsstruktur im Bereich R&D - Absteigende Bewertung der fünf R&D-stärksten Bewerber (5-1 Pkt.) 15 %,
(T1) Referenzen von derzeit funktionstüchtigen und vergleichbaren Leistungen und Geräten in Europa bzw. weltweit - Absteigende Bewertung der fünf referenzstärksten Bewerber (5-1 Pkt.) 25 %,
(T2) aktuelle Mitarbeiterzahl und deren Qualifikationsstruktur im Applikationslabor - Absteigende Bewertung der fünf stärksten Bewerber (5-1 Pkt.) 15 %,
(T3) nächstgelegener Servicestandort - Absteigende Bewertung der Entfernung zum Erfüllungsort (5-1 Pkt.) 10 %,
nein
nein
Nachweis über die Befähigung zur Berufsausübung durch Abgabe der EEE – Teil IV Abschnitt A. (Siehe Abschnitt VI.3 dieser Bekanntmachung – zusätzliche Angaben: Link und Erläuterungen zum Dienst zum Ausfüllen und Wiederverwenden der EEE). Die Nichterfüllung mindestens eines dieser Mindestanforderungen gilt als Ausschlusskriterium.
Nachweis über die wirtschaftliche und finanzielle Leistungsfähigkeit durch Abgabe der EEE – Teil IV Abschnitt B. (Siehe Abschnitt VI.3 dieser Bekanntmachung – zusätzliche Angaben: Link und Erläuterungen zum Dienst zum Ausfüllen und Wiederverwenden der EEE).
Unterlagen, welche
(W1) über die wirtschaftliche Gesamtsituation des Bieters,
(W2) den Umsatz von Systemen zur Rasterelektronenmikroskopie in Forschungseinrichtungen in den letzten 3 Jahren sowie
(W3) die aktuelle Mitarbeiterzahl und deren Qualifikationsstruktur im Bereich R&D für die Rasterelektronenmikroskopie
aussagekräftige Auskunft geben.
- Nachweis über die technische und berufliche Leistungsfähigkeit durch Abgabe der EEE – Teil IV Abschnitt Cund D (Hinweis: bezogen auf die letzten 3 abgeschlossenen Geschäftsjahre). (Siehe Abschnitt VI.3 dieser Bekanntmachung – zusätzliche Angaben: Link und Erläuterungen zum Dienst zumAusfüllen und Wiederverwenden der EEE).
Mindestanforderung (Ausschlusskriterium):
(M4) Der Bewerber muss mindestens eine Referenzinstallation eines Systems zur Rasterelektronenmikroskopie mit Tieftemperaturstage in einer Forschungseinrichtung vorweisen können.
(M5) Vorhandensein eines eigenen Applikationslabors zur Rasterelektronenmikroskopie,
Bewertungskriterien:
(T1) Referenzen von derzeit funktionstüchtigen und vergleichbaren Leistungen und Geräten in Europa bzw. weltweit,
(T2) die aktuelle Mitarbeiterzahl und deren Qualifikationsstruktur im Applikationslabor sowie
(T3) nächstgelegener Servicestandort zum Erfüllungsort
Wettbewerblicher Dialog
ja
18.04.2019
13:00
13.05.2019
Dies ist kein wiederkehrender Auftrag.
Aufträge werden elektronisch erteilt
Die elektronische Rechnungsstellung wird akzeptiert
Die Zahlung erfolgt elektronisch
Hinweis zum Ausfüllen der EEE: Dienst zum Ausfüllen und Wiederverwenden der EEE unter dem Link: Dazu „Ich bin ein Wirtschaftsteilnehmer“ https://ec.europa.eu anklicken und dann die Option " eine Antwort erstellen" /tools/espd/filter?lang=de. anklicken. Dann kann die EEE ausgefüllt und im gleichen Format (xml) sowie als PDFDatei exportiert/ gespeichert werden. Zum Teilnahmewettbewerb (Erster Teil des Vergabeverfahrens): Der Teilnahmewettbewerb dient zur Ermittlung der Eignung der Bewerber. Es werden im zweiten Teil des Vergabeverfahrens (Angebotsverfahren) nur Bewerber mit festgestellter Eignung zugelassen. Wird mindestens eine der Mindestanforderungen nicht erfüllt, liegt keine Eignung vor. Entsprechend Abschnitt II 2.9 wird aus den geeigneten Bewerbern unter Berücksichtigung der Bewertungsgewichtung eine Auswahl von maximal 5 Bewerbern herbeiführen. Zum Angebotsverfahren (Zweiter Teil des Vergabeverfahrens): In einer ersten Phase werden die ausgewählten maximal 5 Bewerber zur Erstellung Lösungskonzeptes und eines ersten verbindlichen Angebots aufgefordert. Diese Angebote sind Grundlage der nächsten Phasen mit Verhandlungsrunden mit maximal 3 Bietern. Im Bedarfsfall können Prozesstests zur Bewertung von Lösungskonzepten vorgesehen werden. In diesen Phasen kann nach Bewertung der vorgelegten Lösungskonzepte und Testergebnisse eine weitere Reduzierung der Teilnehmerzahl erfolgen. Letztlich werden die im Verfahren verbleibenden Bieter final um ein Angebot gebeten, bevor die Vergabe mit der Auftragserteilung an den Bestbieter abgeschlossen wird. Die Ausschluss- und Bewertungskriterien werden mit den jeweiligen Aufforderungen zur Angebotserstellung bzw. Prozesstest mitgeteilt.
entsprechend der Regelungen gemäß § 160 GWB
13.03.2019
Receive Daily Tenders and Grants notifications
Subscribe now